型号 | NDC652P |
厂商 | Fairchild Semiconductor |
描述 | MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 |
NDC652P PDF | ![]() |
代理商 | NDC652P |
产品变化通告 | Mold Compound Change 08/April/2008 |
标准包装 | 1 |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3.1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V |
功率 - 最大 | 800mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | NDC652PCT |